三星電子(Samsung Electronics Co)週二(5月14日)公佈，將在2024年推出3奈米製程專業，進度逾越臺積電(2330)與英特爾(Intel Corp)。
依據報導稿，三星晶圓製作部總裁ES Jung (見圖) 14日在加州Santa Clara市舉行的晶圓製作論壇(Samsung Foundry Forum)上表明，3奈米的閘極全環(gate al雷神娛樂城 手機遊戲l around，簡稱GAA)製程專業，不只運算機能較7奈米增加35、還可節省50電力，晶單方面積則縮小45。
三星表明，3奈米GAA製程專業(3GAE)的研發徹底按照進度，PDK (Process Design Kit) 01版已在4月釋出，可幫助主顧提前展開設計功課，以便增加設計競爭力、減低備貨時間。
另一方面，三星預定今(2024)年下半年量產6奈米製程裝置，同時辦妥4奈米製程的大福娛樂城活動計畫研發生業。5奈米FinFET製程的產物設計已在4月開端研發，預測本年下半年辦妥、2024年上半年量產。
CNET 14日新聞，諮詢機構International Business Strategies執行長Handel Jones說，三星的GAA專業領先臺積電約12個月，英特爾則大約後進三星2~3年。
三星晶圓製作事業行銷副總裁Ryan Lee 14日表明，GAA典型大老爺娛樂城年終活動三星的晶圓製作娛樂城出金說明進入全新紀元。他說，第一款3奈米製程晶片，是為聰明型電話等舉動裝置設計，預測2024年開端測試、2024年量產。加倍精細的高機能晶片，比如畫圖處置器、打包進資預料到心的人工聰明(AI)晶片等，則會在2024年量產。
Lee並表明，GAA可讓三星把電路微縮至3奈米，加以改進後、甚至可把製程專業進化至2奈米與1奈米。
